Avancées dans le sputtering à magnétron impulsionnel haute puissance
Un aperçu de comment le HiPIMS améliore les techniques de dépôt de films minces.
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Table des matières
La pulvérisation magnetron à haute impulsion de puissance (HiPIMS) est une méthode moderne utilisée pour créer des films minces. Elle améliore la technique traditionnelle de pulvérisation magnetron en délivrant de l'énergie par courtes impulsions au lieu de manière constante. Ce procédé a plusieurs avantages, comme la production de films minces de meilleure qualité et durabilité.
Pendant le processus, un matériau cible, généralement un métal, est bombardé avec de l'énergie. Cela libère des atomes du ciblé, qui voyagent ensuite vers une surface pour former un film. Cependant, le taux auquel ces films sont déposés peut parfois être inférieur à ce qu'on souhaite.
Pour améliorer le taux de dépôt, on utilise une technique appelée HiPIMS bipolaire (BP-HiPIMS). Dans BP-HiPIMS, des impulsions de tension négative et positive sont alternées. Cette méthode permet à plus d'ions d'atteindre le substrat, ce qui améliore la qualité du film.
Comportement du plasma dans HiPIMS
Quand une impulsion de tension positive est appliquée, le comportement du plasma - le gaz chaud et chargé créé pendant le processus de pulvérisation - change significativement. Dès que l'impulsion positive commence, il y a un changement rapide dans les potentiels flottants et plasma. Cela entraîne une diminution de l'énergie de ces potentiels, ce qui a des implications pour le processus de décharge.
L'installation comprend une unité d'alimentation auto-construite qui fonctionne en mode tension constante. La décharge se produit dans une chambre à vide où le matériau cible est placé. Des outils de diagnostic mesurent diverses propriétés du plasma, comme la température et la densité des électrons, pendant différentes étapes de l'impulsion.
Tout au long du processus, la lumière est émise par le plasma, ce qui peut être observé à l'aide de caméras haute vitesse. Cette lumière aide à comprendre le comportement et les changements qui se produisent dans le plasma.
Résultats clés
Changements de tension : Quand l'impulsion de tension positive commence, il y a une grande différence entre le potentiel plasma et le potentiel flottant. Cette différence dure un court moment avant que les deux potentiels ne commencent à augmenter à nouveau.
Chute du potentiel flottant : Une chute notable du potentiel flottant se produit après le début de l'impulsion. Cela est généralement suivi d'une diminution du potentiel plasma également. De tels changements indiquent des modifications significatives des conditions du plasma, y compris une augmentation de la température des électrons.
Ignition de la décharge inverse : Après certains changements dans les paramètres du plasma, une décharge inverse est déclenchée. Ce phénomène se produit dans une région entre le cible et le null magnétique, créant des motifs de lumière spécifiques dans le plasma, appelés motifs de lumière d'anode.
Formation de double couche : Une structure de double couche de charge se forme devant le cible pendant le processus de décharge. Cette structure joue un rôle essentiel dans la façon dont les ions se comportent dans le plasma.
Interaction des ions : Les émissions d'électrons secondaires sont principalement produites par l'impact des ions argon sur des surfaces mises à la terre. Ces émissions aident à maintenir le processus de décharge inverse, conduisant à des conditions de plasma stables.
Impact sur la qualité du film : L'existence d'une décharge inverse, bien que utile dans certains scénarios, pourrait conduire à des films de mauvaise qualité. Quand des films de haute qualité sont désirés, il vaut mieux éviter les conditions qui entraînent une décharge inverse, car cela utilise principalement des ions argon, ce qui pourrait potentiellement créer des défauts dans le film.
Le rôle des techniques de diagnostic
Pour mieux comprendre comment fonctionne HiPIMS, diverses techniques de diagnostic sont employées. Celles-ci incluent :
Sondes Langmuir : Ces appareils mesurent les propriétés du plasma, permettant de déterminer la température, la densité des électrons et les différences de potentiel au fil du temps.
Spectroscopie d'émission optique (OES) : En capturant la lumière émise par le plasma, l'OES fournit des informations sur les espèces présentes, leurs énergies et comment elles interagissent pendant le processus de décharge.
En utilisant ces méthodes, les chercheurs peuvent analyser comment les différents paramètres du plasma évoluent pendant les impulsions de tension et l'interaction entre la cible, le plasma et le substrat.
Caractéristiques de décharge et mesures
Le processus de décharge est caractérisé par des mesures spécifiques prises du plasma, y compris :
Formes d'onde : Les formes d'onde de tension et de courant sont enregistrées pour analyser les caractéristiques de décharge pendant les impulsions de tension négative et positive.
Paramètres locaux du plasma : Analyser comment ces paramètres changent au fil du temps aide à observer des tendances et à identifier des moments critiques pendant le processus de décharge.
Par exemple, il a été observé que pendant les impulsions de tension positives, le potentiel plasma et le potentiel flottant affichent des valeurs initiales élevées, qui changent à mesure que la décharge progresse.
Analyse de l'émission lumineuse
L'émission lumineuse du plasma correspond à diverses espèces présentes et à leurs interactions. En analysant l'intensité et la distribution de cette lumière, les chercheurs peuvent obtenir des informations sur le comportement des électrons et des ions dans le plasma.
Les observations ont noté que lorsqu'une chute du potentiel flottant se produit, il y a aussi une augmentation correspondante de l'émission lumineuse de certaines espèces, en particulier des atomes et ions d'argon. Cela indique une relation entre les changements de tension et la façon dont le plasma émet de la lumière.
Lorsque des motifs de lumière d'anode se développent, cela suggère que la décharge inverse se stabilise, ce qui montre le lien entre les émissions lumineuses du plasma et les changements des paramètres de tension.
Conditions pour la création de structure de double couche
La formation d'une structure de double couche est influencée par diverses conditions :
Miroir magnétique efficace : La présence d'un miroir magnétique devant le cible supporte la confinement des électrons, augmentant les chances de formation de structure de double couche.
Présence d'ions : La présence d'espèces ioniques, comme l'argon, qui peuvent efficacement produire des électrons secondaires, aide à construire la densité d'électrons.
Timing : Le timing des impulsions de tension est crucial. Si l'impulsion de tension positive est appliquée peu après la fin de l'impulsion négative, cela empêche une réduction significative de la densité des ions, permettant de meilleures conditions de plasma.
Implications pour la qualité du film
Comprendre la dynamique de la décharge inverse et de la formation de double couche est essentiel pour optimiser le dépôt de films minces. Par exemple :
Si une décharge inverse se produit, cela peut entraîner un bombardement plus élevé du substrat avec des ions argon à haute énergie, ce qui peut être préjudiciable à la qualité du film, entraînant des défauts.
À l'inverse, dans des situations où des films poreux sont désirés, la décharge inverse pourrait en fait être bénéfique car elle favorise certaines caractéristiques dans la structure du film.
Conclusion
L'investigation sur la dynamique des processus de décharge HiPIMS et BP-HiPIMS révèle une interaction complexe entre les applications de tension, le comportement du plasma et la qualité du film résultant.
Avec l'aide de techniques de diagnostic avancées, les chercheurs continuent d'approfondir leur compréhension de la manière d'optimiser le processus de dépôt pour diverses applications, contribuant ainsi à faire avancer le domaine de la technologie des films minces. Cette étude continue non seulement aide à produire des films de haute qualité, mais contribue également à l'ensemble des connaissances en physique des Plasmas et de ses applications en science des matériaux.
Les avancées futures dans ces technologies seront cruciales pour atteindre un meilleur contrôle du processus de pulvérisation, améliorant les propriétés des films minces pour une variété d'utilisations industrielles.
Titre: On double-layer and reverse discharge creation during long positive voltage pulses in a bipolar HiPIMS discharge
Résumé: Time-resolved Langmuir probe diagnostics at the discharge centerline and at three distances from the target (35mm, 60mm, and 100mm) was carried out during long positive voltage pulses (a duration of 500$\mu$s and a preset positive voltage of 100V) in bipolar High-Power Impulse Magnetron Sputtering of a Ti target (a diameter of 100mm) using an unbalanced magnetron. Fast-camera spectroscopy imaging recorded light emission from Ar and Ti atoms and singly charged ions during positive voltage pulses. It was found that during the long positive voltage pulse, the floating and the plasma potentials suddenly decrease, which is accompanied by the presence of anode light located on the discharge centerline between the target center and the magnetic null of the magnetron's magnetic field. These light patterns are related to the ignition of a reverse discharge, which leads to the subsequent rise in the plasma and the floating potentials. The reversed discharge is burning up to the end of the positive voltage pulse, but the plasma and floating potentials have lower values than the values from the initial part of the positive voltage pulse. Secondary electron emission induced by the impinging Ar$^+$ ions to the grounded surfaces in the vicinity of the discharge plasma together with the mirror configuration of the magnetron magnetic field are identified as the probable causes of the charge double-layer structure formation in front of the target and the ignition of the reverse discharge.
Auteurs: Andrea Dagmar Pajdarová, Tomáš Kozák, Tomáš Tölg, Jiří Čapek
Dernière mise à jour: 2024-03-27 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2403.18598
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2403.18598
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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