Investigando MnBiTe y su variante dopada con antimonio
Un estudio revela cómo el orden magnético afecta el comportamiento de electrones y fonones en MnBiTe.
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Tabla de contenidos
Los materiales magnéticos que también tienen propiedades electrónicas especiales son de gran interés para los científicos. Uno de esos materiales es el MnBiTe, que destaca porque actúa como un aislante topológico con propiedades magnéticas. Esto significa que, mientras puede conducir electricidad en su superficie, su interior actúa como un aislante. Los investigadores han estado mirando cómo su Orden Magnético afecta el comportamiento de los fonones (vibraciones en el material) y los Electrones.
Este artículo informa sobre un estudio que involucra películas delgadas de MnBiTe y una versión de este que incluye algo de antimonio (Sb). Al usar una técnica llamada espectroscopía de dominio temporal de terahercios (THz-TDS), podemos aprender más sobre cómo se comportan estos materiales cuando se exponen a diferentes temperaturas.
Las Propiedades Únicas de MnBiTe
El MnBiTe capta la atención porque puede mostrar nuevos y interesantes comportamientos cuánticos, especialmente a temperaturas que son relativamente altas en comparación con otros materiales que demuestran propiedades similares. El orden magnético en MnBiTe ocurre cuando el material se enfría por debajo de una cierta temperatura, conocida como la temperatura de Néel, que está alrededor de 25 Kelvin. A esta temperatura, los momentos magnéticos creados por los iones de manganeso se alinean de una manera específica, llevando a un estado de orden que puede influir en la dinámica electrónica y fónica.
En nuestro estudio, encontramos que a medida que cambia la temperatura, también lo hacen las propiedades de los fonones y el movimiento de electrones en MnBiTe y MnBiTe dopado con Sb.
Método Experimental
Para profundizar en las características de estos materiales, usamos THz-TDS, una herramienta valiosa para estudiar cómo responden los materiales a la luz en el rango de frecuencia de terahercios. Al iluminar con luz de terahercios las películas delgadas de MnBiTe y MnBiTe dopado con Sb, podemos analizar cómo el material absorbe y transmite la luz, dándonos información importante sobre sus propiedades electrónicas y fónicas.
Conductividad
Dependencia de Temperatura de laCuando examinamos la conductividad de MnBiTe y MnBiTe dopado con Sb a varias temperaturas, notamos un pico de absorción significativo a 1.5 terahercios, que corresponde a un modo de fonón llamado fonón E. Este pico es importante ya que proporciona información sobre las interacciones que ocurren en el material.
A medida que la temperatura aumenta de 7 Kelvin a 250 Kelvin, ocurre un fenómeno interesante: la frecuencia del fonón E se desplaza a valores más altos, lo que llamamos un desplazamiento azul. En MnBiTe, este desplazamiento es de aproximadamente 0.1 terahercios, mientras que en la versión dopada con antimonio, alcanza alrededor de 0.2 terahercios. Esta diferencia indica que el Dopaje con antimonio mejora el acoplamiento entre fonones y electrones, resultando en un desplazamiento más pronunciado en la frecuencia del fonón.
Entendiendo el Orden Magnético y el Comportamiento del Fonón
Los cambios en la frecuencia y forma del fonón sugieren que el orden magnético dentro del material juega un papel en el comportamiento de los fonones. Cuando la temperatura se acerca a la temperatura de Néel, se hacen evidentes cambios en la estructura electrónica, indicando una correlación entre el orden magnético y el movimiento de electrones.
En el caso de MnBiTe dopado con Sb, la presencia de antimonio altera aún más la dinámica de electrones. La asimetría de Fano-la medida de la interacción entre diferentes tipos de excitaciones-indica un acoplamiento más fuerte entre los modos de fonón y los estados electrónicos. Esto significa que los fonones y electrones se influyen mutuamente de manera más significativa en el material dopado en comparación con el MnBiTe solo.
Dinámica de Fonones
El comportamiento del modo de fonón E es particularmente intrigante. Cuando enfriamos el material, observamos que en lugar del efecto usual de que los fonones se endurecen o se vuelven más energéticos, el modo de fonón E muestra un ablandamiento inusual. Este ablandamiento es contrario al comportamiento típico y sugiere interacciones complejas dentro del material, lo que indica que factores más allá de la simple expansión térmica están en juego.
Descomponer la dinámica de fonones muestra que diferentes interacciones contribuyen al comportamiento general. Entre estas están el acoplamiento de fonones con la dinámica de electrones y espines, que puede influir significativamente en las energías y anchos de línea de los fonones. La relación entre la temperatura y el comportamiento de estos modos revela detalles intrincados sobre la estructura interna del material y la dinámica de su orden magnético.
Implicaciones del Doping
La introducción de antimonio en MnBiTe tiene implicaciones importantes. No solo cambia la estructura electrónica al desplazar el nivel de Fermi, que determina los niveles de energía de los electrones, sino que también suprime ciertos transportadores de volumen que de otro modo podrían obstaculizar la observación de efectos cuánticos. La supresión de estos transportadores de volumen permite una observación más pronunciada de los estados superficiales, que son críticos para aplicaciones en dispositivos cuánticos.
Al ajustar el nivel de Fermi a través del dopaje, podemos crear una mejor plataforma para observar efectos cuánticos a altas temperaturas, como el efecto Hall cuántico anómalo, que es un estado donde un material puede conducir electricidad sin disipar energía.
Observaciones y Análisis
A través de un análisis cuidadoso de la dependencia de la resistencia con la temperatura, encontramos que para el MnBiTe puro, la resistencia aumenta con la temperatura, mostrando su naturaleza metálica a temperaturas más altas. Sin embargo, se observa una disminución en el comportamiento metálico por debajo de 10 Kelvin, sugiriendo el inicio de interacciones electrón-electrón, probablemente debido al desorden en el material.
Por otro lado, los resultados para MnBiTe dopado con Sb indican un impacto más significativo en la resistencia, consistente con la supresión esperada de la conducción a granel debido a los desplazamientos en la estructura electrónica por el dopaje. Este comportamiento refleja que el orden magnético también tiene una fuerte influencia en las propiedades eléctricas.
Interacciones Fonón-Fonón
El ancho de línea del fonón-esencialmente el ancho del pico de absorción-es otro aspecto fascinante de nuestros hallazgos. En el MnBiTe puro, los anchos de línea se comportan de manera predecible, mientras que en MnBiTe dopado con Sb, vemos un comportamiento más complejo que sugiere interacciones adicionales en juego.
Estas observaciones apuntan a posibles efectos inducidos por desorden que pueden causar que los modos de fonones se dividan o se debiliten, y por lo tanto afecten las propiedades generales del material. En esencia, la forma en que el material absorbe y transmite luz de terahercios está profundamente ligada a su dinámica de fonones y niveles de desorden.
Conclusión
Esta investigación sobre MnBiTe y su contraparte dopada con antimonio ha revelado detalles significativos sobre cómo el orden magnético influye tanto en el comportamiento de fonones como en el de electrones en aislantes topológicos. El uso de espectroscopía de dominio temporal de terahercios ha demostrado ser vital para revelar estas interacciones, particularmente el acoplamiento entre fonones y estados electrónicos.
Los hallazgos sugieren que el dopaje con antimonio no solo mejora las propiedades del material, sino que también presenta una vía prometedora para el desarrollo de nuevos dispositivos cuánticos. Al controlar las interacciones dentro de estos materiales, podemos explorar fenómenos novedosos que podrían llevar a avances en tecnología.
En general, entender estos materiales sienta las bases para futuras investigaciones y posibles aplicaciones prácticas en los campos de la espintrónica, la computación cuántica y más allá.
Título: Investigation of magnetic order influenced phonon and electron dynamics in MnBi$_{2}$Te$_{4}$ and Sb doped MnBi$_{2}$Te$_{4}$ through terahertz time-domain spectroscopy
Resumen: MnBi$_{2}$Te$_{4}$, the first topological insulator with inherent magnetic ordering, has attracted significant attention recently for providing a platform to realize several exotic quantum phenomena at relatively higher temperatures. In this work, we have carried out an exhaustive investigation of MnBi$_{2}$Te$_{4}$ and Sb doped MnBi$_{2}$Te$_{4}$ thin films using THz time-domain spectroscopy. The extracted real THz conductivity displays a strong IR active E$_u$ phonon absorption peak (at $\sim$1.5 THz) merged on top of the Drude-like contributions from bulk and surface electrons. The extracted parameters from the THz conductivity data fitted to the Drude-Fano-Lorentz model, show significant changes in their temperature dependence around the magnetic ordering N\'eel temperature of $\sim$ 25K, which is suggestive of the coupling between magnetic ordering and electronic band structure. The frequency of the E$_u$ phonon displays an anomalous blue-shift with increasing temperatures by $\sim$ 0.1 THz ($\sim$7 %) for MnBi$_{2}$Te$_{4}$ and $\sim$0.2 THz ($\sim$13 %) for Sb doped MnBi$_{2}$Te$_{4}$ between 7K and 250K. The line-shape of the E$_u$ phonon mode in Sb doped MnBi$_{2}$Te$_{4}$ shows significant Fano asymmetry compared to that of MnBi$_{2}$Te$_{4}$, indicating that Sb doping plays an important role in the Fano interference between the phonons and the electrons, in this system. These results indicate that the anomalous phonon behaviour seen in MBT arise mainly from positive cubic anharmonicity induced self energy parameter, whereas both anharmonicity and the electron phonon coupling are at play in making the relatively higher anomalous blue shift of phonons in MBST. Our studies provide the first comprehensive understanding of the phonon and electron dynamics of MnBi$_{2}$Te$_{4}$ and Sb doped MnBi$_{2}$Te$_{4}$ in the THz range using time-domain THz spectroscopy.
Autores: Soumya Mukherjee, Anjan Kumar NM, Subhadip Manna, Sambhu G Nath, Radha Krishna Gopal, Chiranjib Mitra, N. Kamaraju
Última actualización: 2024-03-18 00:00:00
Idioma: English
Fuente URL: https://arxiv.org/abs/2403.11580
Fuente PDF: https://arxiv.org/pdf/2403.11580
Licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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