LaMnO dopé au fluor : Un nouveau matériau magnétique
Explorer les effets du dopage au fluor sur les propriétés magnétiques et électriques de LaMnO.
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Table des matières
Le Ferromagnétisme fait référence à un phénomène où certains matériaux peuvent afficher de fortes propriétés magnétiques. Dans des conditions spécifiques, ces matériaux peuvent devenir des aimants eux-mêmes, attirant d'autres matériaux magnétiques. La Transition métal-isolant (MIT) est un autre concept important, où un matériau peut passer d'être un conducteur d'électricité (métal) à un isolant (ne conduisant pas l'électricité).
Le rôle du dopage au fluor dans LaMnO
LaMnO est un type de matériau connu sous le nom de manganite pérovskite. Ce composé est intéressant parce que, lorsqu'il est dopé avec du fluor (F), il montre des changements impressionnants dans ses propriétés. Plus précisément, quand on introduit du F dans LaMnO, le matériau commence à exhiber à la fois un comportement ferromagnétique et des caractéristiques métalliques.
Le dopage signifie simplement ajouter une petite quantité d'un élément différent pour changer les propriétés d'un matériau. Dans ce cas, en remplaçant certains atomes d'oxygène dans LaMnO par du fluor, les propriétés magnétiques et électriques du matériau changent considérablement.
Propriétés de LaMnO et ses variantes dopées
Le LaMnO pur est connu pour être un isolant antiferromagnétique, ce qui signifie qu'il ne conduit pas bien l'électricité et a des propriétés magnétiques pas très fortes. Cependant, lorsqu'on introduit du fluor, cela entraîne une haute Température de Curie, qui est la température au-dessus de laquelle le matériau perd ses propriétés ferromagnétiques. Pour la version dopée au fluor, cette température est d'environ 239 K.
De plus, le matériau dopé affiche une haute Magnétorésistance (MR), une propriété où la résistance électrique change considérablement en présence d'un champ magnétique. Une valeur de magnétorésistance impressionnante d'environ 64 % a été observée dans ces échantillons dopés au fluor.
Structure des manganites pérovskites
Les matériaux pérovskites se caractérisent par une structure cristalline spécifique. La formule générale pour ces matériaux est ABO3, où A et B sont différents types d'ions métalliques. Dans LaMnO, le site 'A' est occupé par le lanthane (La) et le site 'B' par le manganèse (Mn), entourés d'oxygène (O).
Dans cette structure, les petits ions B, ou métaux de transition, se trouvent au centre des octaèdres d'oxygène. Cette géométrie joue un rôle crucial dans le comportement général du matériau et des caractéristiques comme le magnétisme et la conductivité.
Méthodes expérimentales utilisées pour étudier LaMnO
Pour étudier comment le dopage au fluor affecte LaMnO, plusieurs méthodes ont été employées :
Synthèse : Les composés ont été créés en utilisant une méthode de réaction à l'état solide. Cela implique de mélanger les matières premières, de les broyer, puis de les chauffer à des températures spécifiques.
Caractérisation : Des techniques comme la diffraction des rayons X (XRD) et la spectroscopie de fluorescence X dispersive en énergie (EDX) ont été utilisées pour analyser la structure et la composition des échantillons.
Mesures électriques et magnétiques : Pour évaluer les propriétés électriques et magnétiques du matériau, un système de mesure de propriétés physiques (PPMS) a été utilisé. Ce système peut mesurer comment l'échantillon se comporte sous différentes températures et champs magnétiques.
Spectroscopie de photoélectrons X (XPS) : Cette méthode aide à déterminer les états d'oxydation des ions métalliques présents dans le matériau.
Résultats des études
Structure et composition
En examinant les motifs diffractés des mesures XRD, on a constaté que les pics du LaMnO dopé au fluor coïncidaient avec ceux de l'échantillon pur. Cela indique que le composé dopé maintient la même structure cristalline que le composé parent. Aucun pic supplémentaire ne suggère qu'aucune phase secondaire ou composé indésirable ne se soit formé pendant le dopage.
Les dimensions du réseau, qui donnent des informations sur la structure du matériau, ont été déterminées, montrant de légers changements après le dopage au fluor. La taille des grains dans le matériau change aussi, ce qui peut affecter son comportement électrique et magnétique.
Caractéristiques électriques
Le comportement électrique du LaMnO dopé au fluor était significativement différent de celui du composé pur. Alors que le LaMnO non dopé affiche des caractéristiques d'isolant, la version dopée montre un comportement métallique. Deux pics distincts dans la résistivité ont été observés, correspondant à différentes transitions de température - 239 K et 213 K. Ces points reflètent des changements dans la façon dont les électrons se déplacent à travers le matériau.
Propriétés magnétiques
En termes de magnétisme, le comportement ferromagnétique a été confirmé par diverses mesures. L'échantillon a affiché deux transitions magnétiques aux températures mentionnées précédemment. Les résultats indiquent qu'il existe deux types différents d'échanges magnétiques se produisant dans le matériau, soulignant la complexité de son comportement.
La présence d'une boucle d'hystérésis a confirmé que l'échantillon dopé exhibe des caractéristiques ferromagnétiques. Cette boucle est une caractéristique commune observée dans les matériaux ferromagnétiques, montrant que l'échantillon peut conserver son orientation magnétique même après que le champ magnétique externe soit supprimé.
Le rôle de la valence mixte
Le concept de valence mixte, où les ions de manganèse existent dans différents états d'oxydation, joue un rôle essentiel dans les propriétés électroniques et magnétiques des échantillons dopés. La présence d'ions Mn3+ et Mn4+ permet des interactions d'échange double, un mécanisme qui permet le saut d'électrons entre les ions de manganèse et renforce à la fois le ferromagnétisme et la conductivité électrique.
Cette valence mixte est cruciale pour maintenir l'état ferromagnétique et est directement liée à l'introduction de fluor dans le matériau.
Implications des résultats
Les résultats des études sur le LaMnO dopé au fluor ouvrent de nouvelles possibilités pour la conception de matériaux avec des propriétés magnétiques et électriques sur mesure. Le dopage au fluor change non seulement la conductivité mais impacte aussi de manière significative les caractéristiques magnétiques du matériau, ce qui en fait un domaine d'intérêt pour de futures recherches.
En comprenant comment différents types de dopage affectent ces propriétés, les chercheurs peuvent explorer des manipulations qui mènent à de nouvelles applications, comme des capteurs améliorés, des dispositifs de stockage magnétique, et d'autres composants électroniques.
Conclusion
Le LaMnO dopé au fluor représente un domaine d'étude fascinant dans le domaine des sciences des matériaux. Grâce à des expériences minutieuses et à des analyses, les chercheurs ont découvert les relations entre le dopage, le comportement magnétique et les propriétés électriques. Les changements significatifs observés dans les propriétés de LaMnO lorsque le fluor est introduit soulignent l'importance de la composition et de la structure du matériau dans la détermination de sa fonctionnalité. Ce domaine de recherche non seulement améliore notre compréhension des manganites pérovskites mais ouvre également des portes à la conception de matériaux innovants et à leur application dans la technologie.
Titre: Ferromagnetism and Metal-Insulator transition in F-doped LaMnO3
Résumé: We present our studies on polycrystalline samples of fluorine doped LaMnO3 (LaMnO3-yFy). LaMnO2.5F0.5 exhibits remarkable magnetic and electrical properties. It shows ferromagnetic and metallic behavior with a high Curie temperature of ~ 239 K and a high magnetoresistance of -64. This drastic change in magnetic properties in comparison to pure LaMnO3 is ascribed to the presence of mixed-valence Mn ions driven by the F-doping at the O-sites, which enables double exchange (DE) in LMOF. Furthermore, the resistivity data exhibits two resistivity peaks at 239 K and 213 K, respectively. Our results point towards the possibility of multiple double exchange hopping paths of two distinct resistances existing simultaneously in the sample below 213 K.
Auteurs: Ekta Yadav, Pramod Ghising, K. P. Rajeev, Z. Hossain
Dernière mise à jour: 2023-02-27 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2302.13845
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2302.13845
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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