L'avenir des appareils électroniques : les semimétaux de Weyl magnétiques
Explorer le potentiel des semi-métaux Weyl magnétiques pour des applications électroniques avancées.
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Table des matières
- C'est quoi les semimétaux Weyl magnétiques ?
- Murs de domaine dans les semimétaux Weyl magnétiques
- Modulation de conductance
- Bandes plates et propriétés électroniques
- Comportement de transport
- Localisation des porteurs
- Applications dans les dispositifs de mémoire
- Effets des champs magnétiques
- Conclusion
- Source originale
- Liens de référence
Ces dernières années, l'intérêt pour de nouveaux matériaux appelés semimétaux Weyl magnétiques (MWSMs) a augmenté. Ces matériaux ont des propriétés uniques qui pourraient être utiles pour fabriquer de nouveaux types de dispositifs électroniques. Un aspect super intéressant des MWSMs est leur capacité à manipuler le flux de courant électrique, surtout quand ils sont structurés en motifs spéciaux appelés Murs de domaine (DWs). Cet article va parler de la structure électronique et du comportement des MWSMs, en se concentrant sur leurs applications potentielles dans les dispositifs de mémoire.
C'est quoi les semimétaux Weyl magnétiques ?
Les semimétaux Weyl sont une classe de matériaux qui se différencient des métaux et isolants ordinaires. Ils affichent des propriétés électroniques uniques à cause de leur structure de bandes inhabituelle. Dans les MWSMs, la structure est influencée par le magnétisme. Quand la symétrie du matériau est rompue, cela mène à la formation de cônes de Weyl, qui peuvent être vus comme des points dans l'espace énergie-momentum qui se comportent comme des particules sans masse. La présence du magnétisme rajoute une complexité supplémentaire, permettant des comportements intéressants dans le flux de courant électrique.
Murs de domaine dans les semimétaux Weyl magnétiques
Un mur de domaine est une frontière qui sépare deux régions magnétiques différentes. Dans les MWSMs, ces murs peuvent être disposés en motifs spécifiques, créant une structure de superréseau. Cette disposition peut influencer de manière significative comment les électrons se déplacent à travers le matériau. En contrôlant le nombre de murs de domaine entre les contacts électriques, il est possible de manipuler la résistance du dispositif, ce qui permet de stocker des informations dans plusieurs états.
Modulation de conductance
L'une des découvertes clés concernant les dispositifs MWSM est que la résistance peut être modifiée en ajustant le nombre de murs de domaine présents. Ça veut dire qu'un seul dispositif peut avoir plusieurs états de résistance, ce qui est super important pour les applications de stockage de mémoire. La capacité à passer d'un état à l'autre peut être réalisée grâce à des signaux électriques, rendant les dispositifs très polyvalents.
Bandes plates et propriétés électroniques
Une autre caractéristique importante des MWSMs est l'existence de bandes plates dans leur structure électronique. Ces bandes apparaissent dans la direction du flux de courant et peuvent être ajustées en changeant les champs magnétiques dans le matériau. La présence de bandes plates peut améliorer l'efficacité des dispositifs électriques en permettant un meilleur contrôle sur les états électroniques.
Comportement de transport
Dans les études sur le comportement de transport dans les MWSMs, les chercheurs ont utilisé différents modèles pour comprendre comment l'arrangement des textures magnétiques affecte le flux d'électrons. En examinant ces interactions, ils peuvent mieux comprendre comment optimiser les performances des dispositifs électroniques basés sur ces matériaux.
Localisation des porteurs
Quand les électrons se déplacent à travers un MWSM, ils peuvent devenir localisés dans des zones spécifiques, surtout aux murs de domaine. Ce phénomène vient de l'interaction entre le profil de magnétisation et les états électroniques. La localisation des porteurs est essentielle pour un transport efficace, car elle peut améliorer les performances du dispositif.
Applications dans les dispositifs de mémoire
À cause de leurs propriétés uniques, les MWSMs ont un grand potentiel pour le développement de dispositifs de mémoire avancés. La capacité d'encoder plusieurs états dans un seul dispositif en utilisant des murs de domaine pourrait mener à des solutions de stockage de mémoire plus efficaces. Ces dispositifs pourraient potentiellement surpasser les jonctions tunnel magnétiques (MTJs) traditionnelles couramment utilisées dans la technologie de mémoire actuelle.
Effets des champs magnétiques
La combinaison de magnétisme et de physique Weyl offre des opportunités pour créer des dispositifs avec des fonctionnalités uniques. Les chercheurs sont enthousiastes à l'idée de tirer parti de ces effets pour améliorer les performances dans les applications électroniques. Le fort couplage des textures magnétiques avec les propriétés électroniques pourrait offrir de nouvelles façons de contrôler et de manipuler l'information.
Conclusion
Les semimétaux Weyl magnétiques se révèlent prometteurs pour les futurs dispositifs électroniques. Leur capacité à manipuler le flux d'électrons via les murs de domaine ouvre de nouvelles voies pour des solutions de stockage de mémoire. En comprenant la structure électronique et le comportement de transport de ces matériaux, les chercheurs peuvent libérer leur potentiel pour des dispositifs innovants et efficaces. Une exploration continue dans ce domaine pourrait mener à des avancées significatives en nanoélectronique, bénéficiant à diverses applications en informatique et technologie de mémoire.
Titre: Flat bands and multi-state memory devices from chiral domain wall superlattices in magnetic Weyl semimetals
Résumé: We propose a novel analog memory device utilizing the gigantic magnetic Weyl semimetal (MWSM) domain wall (DW) magnetoresistance. We predict that the nucleation of domain walls between contacts will strongly modulate the conductance and allow for multiple memory states, which has been long sought-after for use in magnetic random access memories or memristive neuromorphic computing platforms. We motivate this conductance modulation by analyzing the electronic structure of the helically-magnetized MWSM Hamiltonian, and report tunable flat bands in the direction of transport in a helically-magnetized region of the sample for Bloch and Neel-type domain walls via the onset of a local axial Landau level spectrum within the bulk of the superlattice. We show that Bloch devices also provide means for the generation of chirality-polarized currents, which provides a path towards nanoelectronic utilization of chirality as a new degree of freedom in spintronics.
Auteurs: Vivian Rogers, Swati Chaudhary, Richard Nguyen, Jean Anne Incorvia
Dernière mise à jour: 2023-10-23 00:00:00
Langue: English
Source URL: https://arxiv.org/abs/2303.16918
Source PDF: https://arxiv.org/pdf/2303.16918
Licence: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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